Компания Huawei представила усовершенствованный чип для смартфонов, обойдясь без изменения технологического стандарта

Представители Huawei предоставили детальную информацию о характеристиках нового мобильного чипсета Kirin 2026. Согласно заявлениям создателей, он обладает на 55% большей концентрацией транзисторов в сравнении с предыдущей моделью – Kirin 9030 Pro. При этом производство микросхемы осуществляется по той же технологии и не предполагает использования оборудования для фотолитографии EUV.

По информации, предоставленной производителем, новый чип потребляет на 41% меньше электроэнергии при сохранении прежних рабочих характеристик. Кроме того, заявлено о сокращении тепловыделения на 5,6%, что должно положительно сказаться на эффективности работы устройства.

По словам специалистов Huawei, достижение таких показателей стало возможным благодаря внедрению инновационной архитектуры LogicFolding, которая модифицирует расположение логических элементов внутри кристалла. Данный метод позволяет приблизительно уменьшить длину соединений на 30%, снизить количество буферов для синхронизации сигнала более чем наполовину и сократить разницу во времени поступления тактовых импульсов на четверть.

Читать также:  Модифицированный дрон развил скорость 730 км/ч, побив неофициальный мировой рекорд

В Huawei полагают, что данная технология может послужить заменой традиционному подходу к развитию полупроводниковой индустрии, который базируется на непрерывном уменьшении размеров транзисторов. Вместо этого предложенный подход Tau Scaling ориентирован на сокращение времени передачи данных внутри процессора.

Huawei озвучила стратегию дальнейшего развития своих технологий. В перспективе нескольких лет организация планирует внедрить многоуровневую архитектуру логических структур, а к двадцати девятому году намечена отметка в четыре гигагерца для максимальной рабочей скорости чипов Kirin. Специалисты отмечают необходимость преодоления трудностей, касающихся рассеивания тепла, производственного процесса и обеспечения высокого процента годных полупроводников.