В рамках рабочей поездки в Новосибирск руководитель Российского научного фонда академик Геннадий Красников посетил Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Ему были представлены основные векторы деятельности научно-исследовательского института, включая приоритетное направление – технологию молекулярно-лучевой эпитаксии, которая позволяет получать новые полупроводниковые материалы с заданными характеристиками. Сотрудники института доложили о практических и теоретических разработках в области создания элементов и электронных компонентов для высокочастотной электроники и оптоэлектроники, спиновой электроники, приборостроения, а также сенсорных систем диагностики состояния организма.

Приветствие произнес руководитель Института физики полупроводников академик РАН Александр Латышев, который обозначил наиболее значимые проекты института. После этого сотрудники ИФП СО РАН провели обзор различных исследовательских направлений и подчеркнули последние успехи.

О создании электронных компонентов для высокочастотной электроники, оптоэлектроники и радиофотоники доложил руководитель лаборатории Института физики полупроводников к.ф.-м.н. Дмитрий Гуляев.

Кандидат физико-математических наук Сергей Мутилин представил устройство пространственного фазового управления световым лучом на основе жидких кристаллов с разрешением в несколько миллионов пикселей. О разработке структур «кремний на изоляторе», включая использование диоксида гафния, рассказал доктор физико-математических наук и руководитель лаборатории ИФП СО РАН Владимир Попов.

Олег Терещенко, руководитель исследовательской группы Института физико-технологических проблем СО РАН (ИФП СО РАН), академик РАН с докторской степенью в области физматематики, посвятил свое выступление изучению твердотельной и вакуумной спинтроники вместе с оптоэлектроникой. В центре внимания оказались фоточувствительные приборы на базе электронно-оптических преобразователей, вакуумные диоды, а также методы получения соединений PbSnTe, Bi-соединений, HgS и других веществ посредством молекулярно-лучевой эпитаксии.

Александр Никифоров, руководитель лаборатории ИФП СО РАН с докторской степенью в области физматематики, рассказал о технологической установке для выращивания полупроводников на орбите Земли — уникальной системе, функционирующей в условиях открытого космоса и разработанной специалистами Института физико-технологических проблем СО РАН.

Дмитрий Щеглов, руководитель лаборатории ИФП СО РАН с докторской степенью в области физматематики, предоставил предварительные данные о создании российского оптического интерферометра. Он отметил, что эти прикладные исследования проводятся по заказу Министерства науки и образования Российской Федерации для разработки отечественного научного оборудования.

По словам руководителя исследовательской группы Института физико-химической биологии и почвенной химии (ИФП) СО РАН, доктора физико-математических наук Василия Швеца, в стенах института были разработаны отечественные эллипсометры. Кроме того, кандидат физико-математических наук Виктор Федоринин подчеркнул важность создания прибора для работы с терагерцовыми волнами.

Владимир Гриценко, ведущий ученый Института физико-технологических проблем СО РАН с докторской степенью в области физматематики, представил результаты исследований вигнеровской кристаллизации локализованных электронов во флэш-памяти SONOS/TANOS и ее воздействии на характеристики хранения информации.

Старший научный сотрудник ИФП СО РАН, доктор физико-математических наук Ирина Антонова представила информацию о датчиках на основе графена: их применение в исследованиях нервных процессов, создание устройства для измерения концентрации сахара в крови без проникновения внутрь организма по выделяемому поту и анализа состава выдыхаемого воздуха.

Завершением мероприятия стал осмотр установки молекулярно-лучевой эпитаксии – уникальной разработки ИФП СО РАН. Принцип действия оборудования гостям объяснил заместитель директора института, кандидат физико-математических наук Георгий Сидоров.