Саудовские ученые представили новую технологию производства многослойных микрочипов, которая позволяет совмещать обычные элементы интегральных схем с новыми материалами. Данное решение дает возможность создавать устройства с широким спектром функций, такие как датчики и гибкие электронные устройства.
В течение долгого времени развитие производства микропроцессоров было связано с уменьшением размеров транзисторов и повышением их плотности. Однако современные физические ограничения, вызванные квантовыми эффектами, достигли своего предела, что делает дальнейшие улучшения нерентабельными. В связи с этим, эксперты рассматривают альтернативные решения, среди которых – использование многослойных микросхем.
Ранее создание многослойных структур было затруднено ограничениями в количестве слоев – не более двух. Это было связано с проблемами совместимости используемых материалов и риском повреждения нижних слоев во время высокотемпературной обработки. Разработчики новой технологии смогли обойти эти ограничения, уменьшив температуру нагрева при производстве чипов до отметки ниже 150 °C и повысив качество поверхности слоев.
Саудовские исследователи сообщили об успешном изготовлении более ста гибридных микрочипов. Каждый из них включает в себя 41 слой, состоящий из различных материалов и объединенный в шесть уровней транзисторных структур. Полученные устройства были успешно протестированы, и на их основе созданы прототипы энергонезависимой памяти и логических элементов, показывающие высокую эффективность и низкое потребление энергии.
Благодаря этой разработке открывается путь к разнообразным областям применения, таким как Интернет вещей (IoT), медицинские приборы и системы экологического мониторинга. Данная технология позволяет существенно улучшить возможности электронных компонентов, повысить их энергоэффективность и уменьшить габариты устройств.