Ученые разработали способ производства тонких полупроводников для электроники

Ученые НИТУ «МИСиС» совместно с американскими коллегами разработали способ сократить размер транзисторных элементов для электронных устройств, что повысит их производительность. В качестве основы вместо кремния рекомендовано использовать титан, цирконий и серу.

Ученые разработали способ создания полупроводников для электроники с десятикратным уменьшением толщины.

Результаты исследования опубликованы в Journal of Alloys and CompoundsМалый размер элементов электронной техники оказывает решающее влияние на её эффективность.

Для создания полупроводниковой электроники главным материалом служит кремний. В то же время его проводимость меньше, чем у некоторых других полупроводников. Изготовление чистого кремния, необходимого для производства устройств, представляет собой сложный и затратный процесс.

Повышение скорости обработки информации требует уменьшения размеров элементов, однако дальнейшее уменьшение уже почти невозможно.
Учёные Национального исследовательского технологического университета «МИСиС» и специалисты из Университета штата Небраска разработали способ сократить толщину полупроводниковых элементов в десять раз.

Из-за привычности кремния понадобилось перейти на соединения титана и циркония с серой (TiS3 и ZrS3). Использование сплавов титан-цирконий и чистой серы позволяет управлять свойствами полупроводниковых тонких лент, применяемых в устройствах. Перед учеными встала проблема, уже знакомая другим научным группам: почему нельзя получить весь спектр соединений от чистого ZrS3 до TiS3 для управления оптическими и электрическими свойствами этих материалов и эффективного их применения в полупроводниковых приборах.

Ученые обнаружили, что причина проблемы кроется в температуре кристаллизации материала – 800°C. Сканирующая электронная микроскопия показала, что помимо мелких «игольчатых» кристаллов в структуре образуются крупные восьмиугольники – гексагоны, нарушающие однородность материалов.

При постепенном понижении температуры кристаллизации структура материала изменялась. При затвердевании раствора при более низкой температуре кристаллы-гексагоны не образовывались, и материал представлял собой тонкие ленты. Благодаря слоистой структуре этих материалов получилось изготовить пленки толщиной примерно в 1 нм.

Ученые намерены продолжить исследования титана и циркония: при различных соотношениях металлов создавать твердые растворы с серой и оценивать проводимость образцов. В будущем это позволит определить оптимальные и стабильные сочетания материалов с наивысшей степенью проводимости.

Автор – Мария Перемитина

НИТУ МИСИС
71 статей
МИСИС – ведущий университет по созданию, внедрению и применению новых технологий и материалов. Первый вуз в стране с статусом «Национального исследовательского технологического университета». Лидирует в России и занимает место в ТОП-100 QS Materials Science за 2023 год. В университете работают 45 научно-исследовательских лабораторий и 3 научных центра мирового уровня. В состав НИТУ МИСИС входят 8 институтов, 4 филиала в России и 2 за рубежом.