Полупроводниковые лазерные технологии обсудили на международном симпозиуме в ФИАН

С 29 ноября по 1 декабря 2023 года в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН прошел IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (КОИПСС), который был посвящен памяти выдающегося физика и организатора Симпозиума академика Олега Николаевича Крохина.

Выступление Н.Н. Колачевского. Источник фото: ФИАН

Выступление Н.Н. Колачевского. Источник фото: ФИАН

КОИПСС проводится регулярно каждые два года и является научным форумом, в котором участвуют все ведущие научные учреждения, работающие по современным направлениям фундаментальных исследований в области полупроводниковых лазеров и лазерных технологий.

К рассматриваемым на Симпозиуме разделам относятся: полупроводниковые лазеры на гетероструктурах, полупроводниковые лазеры на гетероструктурах с оптической и электронной накачкой, униполярные полупроводниковые лазеры, исследование мощного когерентного излучения инжекционных лазеров, перспективные направления создания оптических когерентных источников, технологии с использованием полупроводниковых лазеров, включая биомедицинские применения и др.

Организаторами Симпозиума традиционно выступают Отделение физических наук РАН, Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН (ФИАН), Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» и журнал «Квантовая электроника».

На КОИПСС-2023 было представлено 6 пленарных, 10 приглашенных, 8 устных и 45 стендовых докладов, в том числе молодежных и студенческих научных работ. В работе Симпозиума приняли участие 168 человек, был представлен широкий круг научных и производственных организаций как России, так и ближнего зарубежья: Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Институт физики микроструктур РАН, Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Институт органической химии имени Н.Д. Зелинского РАН, Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, ФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, ИЛФИ РФЯЦ ВНИИЭФ, РФЯЦ ВНИИТФ, АО «НИИ «Полюс им. М.Ф. Стельмаха», АО «Нолатех», ООО «ЛАССАРД», ООО НПП «Инжект», ООО «ОПТОН», Группа компаний «Т8», АО «Лазер Сервис», ФКП «ГЛП «Радуга», МГУ им. М.В. Ломоносова, НИЯУ МИФИ, МФТИ, Владимирский ГУ, Астраханский ГУ, Финансовый университет при Правительстве РФ, Саровский физико-технический институт (филиал НИЯУ МИФИ), Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, Ташкентский филиал НИЯУ МИФИ, Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Республиканское научно-производственное унитарное предприятие «Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий Национальной академии наук Беларуси».

На открытии, которое состоялось 29 ноября в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН, выступили директор ФИАН, член-корреспондент РАН Н.Н. Колачевский и научный руководитель Института лазерной физики СО РАН, председатель Программного комитета академик С.Н. Багаев. В режиме онлайн участников КОИПСС-2023 поприветствовали вице-президент РАН, председатель Дальневосточного отделения РАН академик Ю.Н. Кульчин и главный научный сотрудник Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН академик Р.А. Сурис.

С.Н. Багаев. Источник фото: ФИАН

С.Н. Багаев. Источник фото: ФИАН

В первый день Симпозиума прошел Круглый стол, посвященный развитию научных направлений, у истоков которых стоял академик Олег Николаевич Крохин. В рамках Круглого стола с докладами выступили И.Г. Зубарев (ФИАН, Москва) «О.Н. Крохин – выдающийся ученый и учитель», Г.Т. Микаелян (ООО «ЛАССАРД», Обнинск) «Мощные полупроводниковые лазеры и технологии их производства», С.А. Бельков (ИЛФИ РФЯЦ-ВНИИЭФ, Саров) «Лазерный термоядерный синтез», Е.Р. Корешева (ФИАН, Москва) «Памяти академиков Н.Г. Басова и О.Н. Крохина. Прорывы в исследованиях и разработках в области ИТС», С.Ю. Гуськов (ФИАН, Москва) «Современные достижения в лазерном термоядерном синтезе».

Для каждого участника Симпозиума представилась возможность прикоснуться к истории становления и развития полупроводниковой квантовой электроники, лазерного термоядерного синтеза и физики взаимодействия лазерного излучения с веществом. В Круглом столе принял участие один из идеологов полупроводниковых лазеров Юрий Михайлович Попов. Он совместно с О.Н. Крохиным и Н.Г. Басовым стоял у истоков создания первого полупроводникового квантового генератора.

Программу второго дня открыл пленарный доклад Н.А. Пихтина (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург) «Лазерные диоды диапазона длин волн 900-2000 нм для различных применений». Доклады второго дня были посвящены основным направлениям развития полупроводниковых лазеров, нацеленным на улучшение выходных характеристик лазерного излучения, расширению покрываемого спектрального диапазона и конструктивной реализации для их практического применения. Второй день завершился стендовой секцией, которая прошла в очном и онлайн-форматах. Программа третьего дня была дополнена докладами практического применения лазерного излучения.

На Симпозиуме широко были представлены ведущие научные, научно-производственные и производственные организации в области полупроводниковой квантовой электроники.

Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН (Москва) был представлен докладами В.И. Козловского «Полупроводниковый дисковый лазер на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP с прямой накачкой квантовых ям, излучающий на длине волны 640 нм», Е.А. Чешева «Технология отечественной лазерной керамики и перспективы твердотельных лазеров на ее основе», Х.Х. Кумыкова «Анализ возможности применения многосердцевинного оптического волновода с коническим сужением сердцевин в качестве дифракционного оптического элемента».

Выставка картин О.Н. Крохина. Источник фото: ФИАН

Выставка картин О.Н. Крохина. Источник фото: ФИАН

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург) был представлен докладами Н.А. Пихтина «Лазерные диоды диапазона длин волн 900-2000 нм для различных применений», С.О. Слипченко «Импульсные полупроводниковые лазеры для дальномеров и ЛИДАРов времяпролетного типа», З.Н. Соколовой «Режимы излучения в лазерах на квантовых ямах», И.В. Орешко «Исследования характеристик мод резонатора полупроводникового лазера на основе двумерного фотонного кристалла».

АО «НИИ “Полюс” им. М.Ф. Стельмаха» (Москва) представлен докладами А.А. Мармалюка «Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP», М.А. Ладугина «Мощные лазеры ближнего ИК диапазона: система материалов, конструкция и технология гетероструктур», Н.В. Гультикова «Внутренний квантовый выход люминесценции Al-содержащих и Al-free гетероструктур», К.А. Подгаецкого «Квантовые каскадные лазеры с высокоотражающими и просветляющими диэлектрическими покрытиями».

Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород) представлен докладом В.Н. Шастина «Активные среды ТГц диапазона в объемных полупроводниках».

Институт прикладной физики РАН (Нижний Новгород) представлен докладом Вл.В. Кочаровского «Analytic nonlinear theory of the single-mode lasing with due account for a self-consistent grating of the population inversion».

АО «Нолатех» (Москва) представлено докладом В.П. Дураева «Одночастотные перестраиваемые полупроводниковые лазеры с внешним резонатором на длину волны 1550 нм».

В рамках Симпозиума была открыта выставка картин О.Н. Крохина. На экспозиции, организатором которой выступила дочь академика Наталья Олеговна Крохина, представлено более 20 работ. Среди тем – пейзажи, натюрморты и творческие копии. Участники мероприятия отметили, что представленные на выставке картины – это мир учёного, его мечты и воспоминания.

По результатам КОИПСС-2023 принято решение о необходимости дальнейшего проведения Симпозиума, усилении работы по развитию научных школ и производственных мощностей в России по полупроводниковой квантовой электронике и публикации отдельных работ в виде научных статей в журнале «Квантовая электроника».

 

Информация и фото предоставлены отделом по связям с общественностью ФИАН

Источник фото: ФИАН


Источник